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新聞資訊

車聯(lián)網(wǎng)與未來智慧城市:5G時代的交通革命
車聯(lián)網(wǎng)與未來智慧城市:5G時代的交通革命
發(fā)布時間:2024-04-08
要實現(xiàn)未來智慧城市,建構(gòu)更安全、高效率的交通環(huán)境是至關(guān)重要的。在這一進程中,具備連網(wǎng)和各種先進功能的智能車輛扮演著關(guān)鍵角色。車聯(lián)網(wǎng)作為包括人、車、路、通信、服務(wù)平臺等5類要素的重要組成部分,備受關(guān)注。車聯(lián)網(wǎng)市場經(jīng)歷了多個階段,從最初的支持遠程通話到如今的5G+V2X階段。隨著5G和V2X技術(shù)的不斷成熟,車聯(lián)網(wǎng)將成為5G交通和汽車領(lǐng)域跨界融合最具潛力的應(yīng)用之一。這一發(fā)展趨勢為通信服務(wù)提供商帶來了新的市場機會,同時也促使虛擬化開放無線接入網(wǎng)絡(luò)(ORAN)架構(gòu)發(fā)揮關(guān)鍵作用。在軟件定義汽車/網(wǎng)絡(luò)時代,C ...123
MOS管MOSFET科普介紹:工作原理、應(yīng)用和驅(qū)動電路
MOS管MOSFET科普介紹:工作原理、應(yīng)用和驅(qū)動電路
發(fā)布時間:2024-04-07
MOS管,即MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一種常見的半導(dǎo)體器件,主要用于電路中的開關(guān)和放大等功能。以下是關(guān)于MOSFET的介紹:工作原理MOSFET中的MOS代表金屬氧化物半導(dǎo)體。MOSFET的工作原理是利用柵極與基極之間的電場控制通道的電阻值,從而實現(xiàn)放大或開關(guān)控制。三個極MOSFET的三個極分別是源極、柵極和漏極。源極和漏極之間的通道受柵極控制,柵極與源極之間的電壓改變通道電阻,從而改變源極和漏極之間的電 ...123
半導(dǎo)體高級封裝技術(shù):技術(shù)快速演進成為行業(yè)支柱
半導(dǎo)體高級封裝技術(shù):技術(shù)快速演進成為行業(yè)支柱
發(fā)布時間:2024-04-07
高級封裝技術(shù)將在未來半導(dǎo)體領(lǐng)域扮演重要角色。在未來五年內(nèi),一個系統(tǒng)中芯片數(shù)量將從4-10增加到10-30(增長3倍),預(yù)計十年后這一數(shù)字將進一步增加;在內(nèi)存方面,新的內(nèi)存架構(gòu)將改善內(nèi)存墻問題,望解決內(nèi)存容量、速度和功耗成為系統(tǒng)瓶頸的情況;在互聯(lián)方面,未來十年高級封裝的互聯(lián)線數(shù)量將從1000-2000增加至8000,同時采用新的IO接口技術(shù)(如PAM8和高密度WDM光學(xué)互聯(lián))以提升數(shù)據(jù)帶寬并降低數(shù)據(jù)移動成本。這些需求對應(yīng)了高級封裝技術(shù)的技術(shù)發(fā)展,MAPT在高級封裝章節(jié)提出了未來十年的技術(shù)方向。未來 ...123
半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)字芯片:邏輯密度增速減慢,架構(gòu)創(chuàng)新驅(qū)動技術(shù)進步
半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)字芯片:邏輯密度增速減慢,架構(gòu)創(chuàng)新驅(qū)動技術(shù)進步
發(fā)布時間:2024-04-07
數(shù)字芯片一直是半導(dǎo)體芯片中最核心的品類之一,其出貨量巨大,對半導(dǎo)體工藝的依賴程度很高,常常被視為推動整個半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的核心。因此,在MAPT路線圖中,對數(shù)字芯片相關(guān)的路線圖分析尤為詳實。在數(shù)字芯片的路線圖中,首先引人注目的是與傳統(tǒng)摩爾定律預(yù)測截然不同的數(shù)字。根據(jù)MAPT路線圖的預(yù)測,未來十年內(nèi),晶體管密度將從目前的每平方厘米200億增加到每平方厘米800億,即增長4倍。相比之下,過去摩爾定律預(yù)測每18個月晶體管密度翻倍,因此在十年內(nèi)晶體管密度應(yīng)該增加64倍以上。從MAPT路線圖的預(yù)測來看,未來 ...123
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